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晶体管
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CSD25481F4T

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET 20V ,PCh FemtoFET MOSFET
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数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥2.2261
22.261
100
¥1.1978
119.78
250
¥1.1978
299.45
1,000
¥0.89948
899.48
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PICOSTAR-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
2.5 A
Rds On-漏源导通电阻
800 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
950 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
913 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
FemtoFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.35 mm
长度
1 mm
系列
CSD25481F4
晶体管类型
1 P-Channel
类型
FemtoFET MOSFET
宽度
0.64 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
3.3 S
下降时间
6.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.6 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16.9 ns
典型接通延迟时间
4.1 ns
单位重量
0.400 mg
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPW60R199CPFKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 16A TO247-3 CoolMOS CP
1:¥32.431
10:¥27.5042
100:¥23.8995
250:¥22.6678
500:¥20.2835
参考库存:5138
DSA7003S0L
Panasonic
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPLR PW TRANS FLAT LEAD 4.5x4.0mm
1,000:¥1.6611
2,000:¥1.3786
参考库存:26443
NGTB50N65FL2WAG
ON Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 650V/50 FAST IGBT FSII TO
1:¥35.7306
10:¥30.4309
100:¥26.3516
250:¥24.973
500:¥22.4418
参考库存:4845
MMST8098T146
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SURFACE MOUNT
1:¥2.9945
10:¥2.0905
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:18642
MCQ4503-TP
Micro Commercial Components (MCC)
晶体管
MOSFET N&P-Channel MOSFET, SOP-8 package
4,000:¥1.6498
参考库存:26452
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