MT3S20TU(TE85L)详细参数_参考价格_MT3S20TU(TE85L) PDF资料_Toshiba

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	射频(RF)双极晶体管
RoHS	是
系列	MT3S20
晶体管类型	Bipolar
技术	Si
晶体管极性	NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO	12 V
发射极 - 基极电压 VEBO	1.5 V
集电极连续电流	80 mA
配置	Single
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	UFM-3
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
类型	VHF UHF Low Noise Low Distortion Amplifier
商标	Toshiba
Pd-功率耗散	900 mW
产品类型	RF Bipolar Transistors
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	6.600 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
FDA16N50LDTU	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 500V MOSFET UniFET N-channel	1:¥20.6677 10:¥17.5941 100:¥15.2098 250:¥14.4414	参考库存:3675
CSD17381F4T	Texas Instruments	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V,N-Ch FemtoFET MOSFET	1:¥2.6894 10:¥2.0792 100:¥1.10627 250:¥1.10627 1,000:¥0.82942	参考库存:22622
BSP372N H6327	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET SMALL SIGNAL N-CH	1:¥5.6048 10:¥4.7121 100:¥3.0397 1,000:¥2.4295	参考库存:13159
DTB123YUT106	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 TRANS DIGI BJT PNP 500MA 3PIN	1:¥3.7629 10:¥2.3843 100:¥1.02943 1,000:¥0.791 3,000:¥0.5989	参考库存:27531
ZXMN6A08GTA	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 60V 3.8A N-Channel MOSFET	1:¥5.2997 10:¥4.407 100:¥2.8476 1,000:¥2.2713	参考库存:19123