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晶体管
STP32NM50N参考图片

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STP32NM50N

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-Ch 500V 0.1 Ohm 22A MDmesh II FET
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数量单价合计
1
¥44.3412
44.3412
10
¥37.6516
376.516
100
¥32.657
3265.7
250
¥30.962
7740.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
13.86 A
Rds On-漏源导通电阻
130 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
62.5 nC
Pd-功率耗散
190 W
配置
Single
商标名
MDmesh
系列
STP32NM50N
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
23.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
110 ns
典型接通延迟时间
21.5 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,STP32NM50N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 1200V IGBT 81A Auto 1.37V at 33A Low VCE
1:¥46.2622
10:¥41.7987
50:¥39.8777
100:¥34.6571
参考库存:5486
晶体管
IGBT 晶体管 600V 40A Trench Gate 1.8V Vce IGBT
1:¥31.1202
10:¥26.4307
100:¥22.8938
250:¥21.7412
500:¥19.5151
参考库存:7348
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS HV TAPE-7
1:¥3.4578
10:¥2.9041
100:¥1.7741
1,000:¥1.3673
2,000:¥1.1639
参考库存:4695
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 60V 4.5A
1:¥5.6048
10:¥4.7234
100:¥3.0397
1,000:¥2.4408
参考库存:70397
晶体管
MOSFET MOSFET, 40V, 118A, 3 62 nC Qg, TO-220AB
1:¥11.9893
10:¥10.1474
100:¥8.1473
500:¥7.1416
1,000:¥5.9212
参考库存:9354
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