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晶体管
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CSD13383F4T

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET 12V N-Channel FemtoFET MOSFET
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数量单价合计
1
¥3.0736
3.0736
10
¥2.3052
23.052
100
¥1.2656
126.56
250
¥1.2656
316.4
1,000
¥0.94468
944.68
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PICOSTAR-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
2.9 A
Rds On-漏源导通电阻
44 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
FemtoFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.35 mm
长度
1 mm
系列
CSD13383F4
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
0.64 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
5.4 S
下降时间
315 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
123 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
96 ns
典型接通延迟时间
39 ns
单位重量
0.400 mg
商品其它信息
优势价格，CSD13383F4T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
KSC5026MOS
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor
1:¥5.537
10:¥4.5991
100:¥2.9606
1,000:¥2.373
参考库存:38299
HUF76609D3ST
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 10a 100V 0.165 Ohm 1Ch HS Logic Gate
1:¥6.8365
10:¥5.7969
100:¥4.4522
500:¥3.9324
1,000:¥3.1075
2,500:¥3.1075
参考库存:25926
2N5684G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 50A 80V 300W PNP
1:¥115.1018
10:¥105.881
20:¥101.5079
100:¥89.3604
参考库存:6973
NTD4302T4G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET 30V 68A N-Channel
1:¥8.6784
10:¥7.4241
100:¥5.7065
500:¥5.0398
2,500:¥3.5256
10,000:查看
参考库存:20070
BUK9640-100A,118
Nexperia
晶体管
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥9.1417
10:¥7.7631
100:¥5.9551
500:¥5.2658
800:¥4.1471
参考库存:14452
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