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晶体管
STP62NS04Z参考图片

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STP62NS04Z

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库存:10,813(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.752
11.752
10
¥9.9892
99.892
100
¥7.9891
798.91
500
¥7.0173
3508.65
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
33 V
Id-连续漏极电流
62 A
Rds On-漏源导通电阻
15 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
34 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MESH OVERLAY
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
系列
STP62NS04Z
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
42 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
104 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
41 ns
典型接通延迟时间
13 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格,STP62NS04Z的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS
2,500:¥3.8081
参考库存:47324
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil
1:¥5.2997
10:¥4.3957
100:¥2.8363
1,000:¥2.2713
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1:¥2.8476
10:¥1.921
100:¥0.79891
1,000:¥0.54579
3,000:¥0.43053
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1:¥1.2317
10:¥1.05316
100:¥0.37629
1,000:¥0.24634
3,000:¥0.1921
参考库存:31758
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1:¥8.2264
10:¥7.0173
100:¥5.3901
500:¥4.7686
3,000:¥3.3335
9,000:查看
参考库存:6155
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