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晶体管
APTGLQ100DA120T1G参考图片

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APTGLQ100DA120T1G

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库存:46,749(价格仅供参考)
数量单价合计
100
¥338.096
33809.6
250
¥330.9544
82738.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
技术
-
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.05 V
在25 C的连续集电极电流
170 A
栅极—射极漏泄电流
150 nA
Pd-功率耗散
520 W
封装 / 箱体
SP1
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
80 g
商品其它信息
优势价格,APTGLQ100DA120T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 30V 120A 6mOhm 93.3nC LogLvAB
1:¥13.1419
10:¥11.1418
100:¥8.9157
500:¥7.7631
参考库存:8927
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥1.695
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:109394
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual 17.5V NPN HighG
1:¥11.752
10:¥10.0683
100:¥7.684
500:¥6.8365
1,000:¥5.3901
参考库存:20121
晶体管
MOSFET N-channel 100 V, 0.008 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
1:¥18.5207
10:¥15.6731
100:¥12.5204
500:¥10.9836
1,000:¥9.0626
参考库存:6078
晶体管
MOSFET N-CH 200V 18A Q-FET
1:¥15.368
10:¥13.0628
100:¥10.4525
500:¥9.1417
2,500:¥7.0738
5,000:查看
参考库存:16900
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