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晶体管
FGB40T65SPD-F085参考图片

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FGB40T65SPD-F085

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库存:29,604(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥27.0522
27.0522
10
¥22.9729
229.729
100
¥19.8993
1989.93
250
¥18.9049
4726.225
500
¥16.9048
8452.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
2.9 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
267 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGB40T65SPD
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
+/- 400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
800
子类别
IGBTs
零件号别名
FGB40T65SPD_F085
单位重量
1.312 g
商品其它信息
优势价格,FGB40T65SPD-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V Dual PNP
1:¥3.1527
10:¥2.0453
100:¥0.87575
1,000:¥0.67574
8,000:¥0.45313
24,000:查看
参考库存:84274
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥8.2942
10:¥6.8591
100:¥5.2658
500:¥4.5313
3,000:¥4.5313
参考库存:28101
晶体管
MOSFET PT5 150/25V Pch PowerTrench MOSFET
1:¥6.6105
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
3,000:¥2.3843
参考库存:21828
晶体管
MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
1:¥28.9732
10:¥24.0464
100:¥19.7524
250:¥19.1309
500:¥17.2099
参考库存:6905
晶体管
MOSFET OptiMOS -5 Power-Transistor
1:¥33.6514
10:¥28.589
100:¥24.8148
250:¥23.5153
参考库存:13282
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