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晶体管
BSC0996NSATMA1参考图片

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BSC0996NSATMA1

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数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥4.0341
40.341
100
¥2.6103
261.03
1,000
¥2.0792
2079.2
5,000
¥2.0792
10396
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
34 V
Id-连续漏极电流
13 A
Rds On-漏源导通电阻
9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
20 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
13 S
下降时间
5.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.4 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8.9 ns
典型接通延迟时间
9.7 ns
零件号别名
BSC0996NS SP001659236
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 HIGH SPEED TECH 1200V 3A
1:¥17.8314
10:¥15.142
100:¥12.1362
500:¥10.5994
1,000:¥8.7575
参考库存:4198
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.76 Ohm typ., 4.8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT(TM) 5x6 HV package
1:¥16.4415
10:¥13.9103
100:¥11.1418
500:¥9.7632
1,000:¥8.0682
3,000:¥8.0682
参考库存:12110
晶体管
MOSFET N-Ch 60 Volt 23 Amp
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.5823
500:¥6.7122
参考库存:13452
晶体管
MOSFET P-Ch -60V -170mA SOT-23-3
1:¥2.5312
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
10,000:¥0.32996
20,000:查看
参考库存:1039504
晶体管
MOSFET N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
1:¥46.7142
10:¥42.262
25:¥40.2619
100:¥34.9622
参考库存:12611
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