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晶体管
CSD17322Q5A参考图片

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CSD17322Q5A

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET 30V,NCh Nex FET Pwr MOSFET
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库存:7,284(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.5258
7.5258
10
¥6.4523
64.523
100
¥4.9381
493.81
500
¥4.3731
2186.55
2,500
¥3.0623
7655.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
5 A
Rds On-漏源导通电阻
12.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
3.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3 W
配置
Single
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD17322Q5A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.9 mm
商标
Texas Instruments
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
商品其它信息
优势价格,CSD17322Q5A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SSOT-6 N-CH 60V
1:¥6.3054
10:¥5.2658
100:¥3.4013
1,000:¥2.7233
3,000:¥2.2939
参考库存:101653
晶体管
MOSFET N-Ch 150V 37A TO220FP-3 OptiMOS 3
1:¥34.2729
10:¥29.1201
100:¥25.2781
250:¥23.9786
500:¥21.5152
参考库存:7685
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3
1:¥23.3571
10:¥19.8202
100:¥17.2099
250:¥16.2946
500:¥14.5996
参考库存:11257
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
1:¥18.0574
10:¥15.368
100:¥12.2944
500:¥10.7576
1,000:¥8.9157
参考库存:12689
晶体管
MOSFET 100V Comp Enh FET 20Vgs w/ H-Bridge
1:¥8.9157
10:¥7.6388
100:¥5.876
500:¥5.1867
1,000:¥4.0906
3,000:¥4.0906
参考库存:33521
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