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晶体管
DMN21D1UDA-7B参考图片

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DMN21D1UDA-7B

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数量单价合计
10,000
¥0.7458
7458
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
X2-DFN0806-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
455 mA
Rds On-漏源导通电阻
500 mOhms, 500 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
410 pC, 410 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
310 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Reel
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
12 ns, 12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.4 ns, 3.4 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns, 24 ns
典型接通延迟时间
4.5 ns, 4.5 ns
单位重量
1 mg
商品其它信息
优势价格,DMN21D1UDA-7B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 75V 4500MA
1:¥5.1528
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
2,500:¥2.2148
参考库存:34280
晶体管
MOSFET 125V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥10.5316
10:¥8.6784
100:¥6.6557
500:¥5.7178
1,000:¥4.52
3,000:¥4.52
参考库存:30877
晶体管
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1:¥68.0034
10:¥61.472
25:¥58.6244
100:¥50.9404
参考库存:6729
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥4.1471
10:¥3.1979
100:¥2.373
500:¥1.9549
3,000:¥1.3786
6,000:查看
参考库存:23256
晶体管
MOSFET N-Ch 200V 34A TO220-3 OptiMOS 3
1:¥20.8259
10:¥17.6732
100:¥15.368
250:¥14.5205
参考库存:7503
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