RN1962TE85LF详细参数_参考价格_RN1962TE85LF PDF资料_Toshiba

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	10 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-363-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	50
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
Pd-功率耗散	200 mW
系列	RN1962
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
发射极 - 基极电压 VEBO	10 V
商标	Toshiba
最大直流电集电极电流	100 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	6 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
PBHV9040TVL	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500 V, 0.25 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor	1:¥3.3787 10:¥2.7459 100:¥1.6724 1,000:¥1.2995 10,000:¥1.02943 20,000:查看	参考库存:53352
STP28N65M2	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package	1:¥21.0519 10:¥17.8314 100:¥14.2945 500:¥12.5204	参考库存:18104
IPZ65R045C7XKSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 700V 46A TO247-4	1:¥85.7557 10:¥78.9192 25:¥75.6083 100:¥66.6248	参考库存:5181
IPP60R280CFD7XKSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET LOW POWER_NEW	1:¥16.6788 10:¥14.1363 100:¥11.30 500:¥9.9101 1,000:¥8.2264	参考库存:9633
ZXTD4591E6TA	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual 60V NPN/PNP	1:¥5.0737 10:¥4.2149 100:¥2.7233 1,000:¥2.1809 3,000:¥2.1809	参考库存:17010