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晶体管
FCD900N60Z参考图片

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FCD900N60Z

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数量单价合计
1
¥7.9891
7.9891
10
¥6.8252
68.252
100
¥5.2432
524.32
500
¥4.633
2316.5
2,500
¥3.2431
8107.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
4.5 A
Rds On-漏源导通电阻
900 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
13 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Single
商标名
SuperFET II
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
产品
MOSFET
系列
FCD900N60Z
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
4.6 S
下降时间
11.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.2 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
33.6 ns
典型接通延迟时间
10.9 ns
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格,FCD900N60Z的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 JFET N-CH 25V 10MA
1:¥6.9947
10:¥6.2376
25:¥5.6387
100:¥4.9381
3,000:¥2.6781
6,000:查看
参考库存:102460
晶体管
MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
1:¥6.6105
10:¥5.4692
100:¥3.5256
1,000:¥2.825
2,500:¥2.825
参考库存:26147
晶体管
MOSFET 40V N-Channel PowerTrench
1:¥12.1362
10:¥10.2943
100:¥7.91
500:¥6.9947
2,500:¥4.8929
10,000:查看
参考库存:8679
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 75W 12.5V TO270WB4G
1:¥165.8953
10:¥152.5274
25:¥145.77
100:¥128.8652
500:¥111.2598
参考库存:5281
晶体管
MOSFET N-Chan 400V 3.1 Amp
1:¥10.5994
10:¥8.4524
100:¥7.4354
500:¥5.763
1,000:¥4.5539
参考库存:32148
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