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晶体管
IPP60R280CFD7XKSA1参考图片

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IPP60R280CFD7XKSA1

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数量单价合计
1
¥16.6788
16.6788
10
¥14.1363
141.363
100
¥11.30
1130
500
¥9.9101
4955.05
1,000
¥8.2264
8226.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
9 A
Rds On-漏源导通电阻
237 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
18 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
52 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
系列
CoolMOS CFD7
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
53 ns
典型接通延迟时间
17 ns
零件号别名
IPP60R280CFD7 SP001634130
商品其它信息
优势价格,IPP60R280CFD7XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 60V 0.5A
1:¥3.616
10:¥2.5312
100:¥1.1639
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.76049
参考库存:32105
晶体管
MOSFET P-CH 20V 4A TSMT6
1:¥4.3844
10:¥3.6047
100:¥2.3165
1,000:¥1.8645
3,000:¥1.5707
参考库存:13502
晶体管
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms
1:¥14.9047
10:¥12.6786
100:¥10.1474
500:¥8.8366
参考库存:3309
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 1K
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:10356
晶体管
MOSFET SSOT-6 N-CH
1:¥6.6105
10:¥5.5144
100:¥3.5708
1,000:¥2.8476
3,000:¥2.4069
参考库存:32813
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