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产品分类

晶体管
IPZ65R045C7XKSA1参考图片

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IPZ65R045C7XKSA1

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库存:5,181(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥85.7557
85.7557
10
¥78.9192
789.192
25
¥75.6083
1890.2075
100
¥66.6248
6662.48
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
46 A
Rds On-漏源导通电阻
40 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
93 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
227 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
21.1 mm
长度
16.13 mm
系列
CoolMOS C7
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.21 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
82 ns
典型接通延迟时间
20 ns
零件号别名
IPZ65R045C7 SP001024004
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,IPZ65R045C7XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN+NPN Digital transistor(with built-in resistors)
1:¥3.0736
10:¥1.9775
100:¥0.85315
1,000:¥0.65314
8,000:¥0.43844
24,000:查看
参考库存:11460
晶体管
MOSFET N-Ch 650 V 0.308 Ohm 11A MDmesh M5
1:¥30.3518
10:¥25.8205
100:¥22.3627
250:¥21.2101
2,500:¥15.2889
5,000:查看
参考库存:13517
晶体管
IGBT 晶体管 N-Ch 40A 600V FS IGBT
1:¥38.8833
10:¥33.0412
100:¥28.589
250:¥27.12
参考库存:2274
晶体管
MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 1.5mOhms 200nC
1:¥40.0359
10:¥34.0356
100:¥29.5043
250:¥27.9675
4,000:¥19.3682
参考库存:124921
晶体管
MOSFET PMT280ENEA/SC-73/REEL 7" Q1/T1
1:¥2.9945
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
2,000:¥1.00683
参考库存:8163
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