MT3S16U(TE85L,F)详细参数_参考价格_MT3S16U(TE85L,F) PDF资料_Toshiba

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	射频(RF)双极晶体管
RoHS	是
系列	MT3S16
晶体管类型	Bipolar
技术	Si
晶体管极性	NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
集电极—发射极最大电压 VCEO	5 V
发射极 - 基极电压 VEBO	2 V
集电极连续电流	60 mA
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 125 C
配置	Single
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SC-70-3
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	10 V
直流电流增益 hFE 最大值	140
工作频率	4 GHz (Typ)
工作温度范围	- 55 C to + 125 C
类型	UHF Band Oscillator and Amplifier
商标	Toshiba
Pd-功率耗散	100 mW
产品类型	RF Bipolar Transistors
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	6.200 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SI4368DY-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V 25A 3.5W 3.2mohm @ 10V	2,500:¥12.9837 5,000:¥10.7576 10,000:¥8.9948	参考库存:46590
CEDM8004 TR	Central Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V P-Ch Enh FET 8.0Vgs 450ID 100mW	8,000:¥1.8984	参考库存:8561644
CMST5086 BK	Central Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 275mW	15,000:¥0.46895 30,000:¥0.43844 60,000:¥0.39211 105,000:¥0.37629	参考库存:46597
STL9N80K5	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET POWER MOSFET	3,000:¥8.3733 6,000:¥8.0682 9,000:¥7.684	参考库存:46602
CZT2680	Central Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Voltage Switching	3,000:¥2.4973 10,000:¥2.4069 25,000:¥2.3052	参考库存:46607