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晶体管
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FQP3N30

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库存:21,567(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.8422
7.8422
10
¥6.6331
66.331
100
¥5.0963
509.63
500
¥4.4974
2248.7
1,000
¥3.5595
3559.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
300 V
Id-连续漏极电流
3.2 A
Rds On-漏源导通电阻
2.2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
55 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FQP3N30
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
1.75 S
下降时间
25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
40 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
FQP3N30_NL
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FQP3N30的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3
1:¥10.0683
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.8421
1,000:¥4.6104
参考库存:9862
晶体管
IGBT 晶体管 10 A - 410 V Int Clamped IGBT
1:¥20.3626
10:¥17.289
100:¥13.8312
500:¥12.1362
1,000:¥10.0683
参考库存:8564
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) HIGH VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
1:¥10.8367
10:¥9.2208
100:¥7.1077
500:¥6.2828
参考库存:14256
晶体管
IGBT 晶体管 600V IGBT HID Application
1:¥8.6784
10:¥7.4467
100:¥5.7178
500:¥5.0511
1,000:¥3.9889
2,500:¥3.9889
参考库存:17063
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥3.0736
10:¥2.0566
100:¥0.86106
1,000:¥0.58421
4,000:¥0.46104
参考库存:24280
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