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BSP296NH6327XTSA1

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1
¥6.0681
6.0681
10
¥5.0624
50.624
100
¥3.2657
326.57
1,000
¥2.6103
2610.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
1.2 A
Rds On-漏源导通电阻
600 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
4.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.6 mm
长度
6.5 mm
系列
BSP296
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.5 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
2.66 S
下降时间
5.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.8 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18.4 ns
典型接通延迟时间
3.5 ns
零件号别名
BSP296N H6327 SP001059330
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格，BSP296NH6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BCX56,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 80V 1A
1:¥3.616
10:¥2.5651
100:¥1.1752
1,000:¥0.90626
2,000:¥0.7684
参考库存:89349
STD1802T4
STMicroelectronics
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LOW VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
1:¥4.9155
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
2,500:¥1.7628
参考库存:25991
NTMD6N03R2G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET 30V SPCL TR
1:¥5.4579
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
2,500:¥1.9775
参考库存:17033
FQD1N60CTM
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET N-CH/600V/1A/ QFET C-Series
1:¥5.1528
10:¥4.2375
100:¥2.7346
1,000:¥2.1922
2,500:¥2.1922
参考库存:25080
MPSH10
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN RF Amp/Osc
1:¥4.2262
10:¥3.6725
100:¥2.5538
1,000:¥1.8984
参考库存:20677
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