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晶体管

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MRFE6S9045NR1

  • NXP / Freescale
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6E 45W NI270-2 FET
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数量单价合计
1
¥233.4354
233.4354
5
¥223.1411
1115.7055
10
¥215.3102
2153.102
25
¥187.8738
4696.845
500
¥162.0533
81026.65
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
66 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
2.08 mm
长度
9.7 mm
系列
MRFE6S9045NR1
类型
RF Power MOSFET
宽度
6.15 mm
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 0.5 V, 12 V
零件号别名
935316813528
单位重量
529.550 mg
商品其它信息
优势价格,MRFE6S9045NR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor PNP 4.7kohm -100mA -50V
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
8,000:¥0.20001
24,000:查看
参考库存:25294
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
1,000:¥22.5887
3,000:¥21.4361
参考库存:25299
晶体管
SCR Silicon Controlled Rectifier
1:¥3.1527
10:¥2.1018
100:¥0.89948
1,000:¥0.69156
2,000:¥0.52206
参考库存:25304
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 500 mA, 50 V PNP resistor-equipped
10,000:¥0.34578
20,000:¥0.32318
50,000:¥0.29945
100,000:¥0.26103
参考库存:25309
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TransDigital BJT NPN PNP 50V 100mA 6-Pin
3,000:¥0.34578
9,000:¥0.29945
24,000:¥0.27685
45,000:¥0.26103
99,000:¥0.23052
参考库存:25314
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