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晶体管

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APT80GP60JDQ3

  • Microsemi
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  • IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi
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数量单价合计
1
¥294.8396
294.8396
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.2 V
在25 C的连续集电极电流
151 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
462 W
封装 / 箱体
ISOTOP-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
30 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,APT80GP60JDQ3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 20V 880mA SOT-363-6
1:¥3.4578
10:¥2.4521
100:¥1.13
1,000:¥0.86784
3,000:¥0.73789
参考库存:28795
晶体管
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 50A
1:¥48.3301
10:¥43.7197
25:¥41.6518
100:¥36.1939
参考库存:6437
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 1W
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
2,500:¥1.8419
参考库存:16954
晶体管
MOSFET P-Ch -30V -45A D2PAK-2 OptiMOS-P2
1:¥11.8311
10:¥10.1474
100:¥7.7631
500:¥6.893
1,000:¥5.4353
参考库存:5401
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
1:¥45.7989
10:¥37.9567
100:¥31.1993
250:¥30.2727
参考库存:29777
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