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晶体管
APT60GA60JD60参考图片

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APT60GA60JD60

  • Microsemi
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  • IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Combi
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数量单价合计
1
¥317.5752
317.5752
5
¥306.8967
1534.4835
10
¥296.9075
2969.075
25
¥274.6239
6865.5975
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
在25 C的连续集电极电流
112 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
356 W
封装 / 箱体
SOT-227-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
高度
9.6 mm
长度
38.2 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
25.4 mm
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
30 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
POWER MOS 8, ISOTOP
单位重量
30 g
商品其它信息
优势价格,APT60GA60JD60的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
JFET JFET N-Channel -40V 50mA 300mW 1.7mW
1:¥91.6656
10:¥75.145
100:¥62.3986
500:¥56.8616
参考库存:3666
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA Complementary 50V NPN & PNP
1:¥1.921
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
3,000:¥0.29154
参考库存:783213
晶体管
MOSFET 20V 1A Nch Power MOSFET
1:¥2.8476
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
8,000:¥0.4068
24,000:查看
参考库存:68735
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFI830G
1:¥13.9103
10:¥11.526
100:¥8.9157
500:¥7.8422
1,000:¥6.4636
参考库存:7757
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥4.4522
10:¥3.7064
100:¥2.3843
1,000:¥1.9097
2,500:¥1.6159
参考库存:13704
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