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晶体管
SQ2389ES-T1_GE3参考图片

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SQ2389ES-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET -40V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
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数量单价合计
1
¥5.763
5.763
10
¥4.9946
49.946
100
¥3.8872
388.72
500
¥2.9154
1457.7
1,000
¥2.3504
2350.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
4.1 A
Rds On-漏源导通电阻
94 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
8.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
5 S
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns
典型接通延迟时间
7 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,SQ2389ES-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 Automotive-grade 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT with Ultrafast diode
1:¥14.5205
10:¥12.3735
100:¥9.831
500:¥8.6106
2,500:¥6.6896
5,000:查看
参考库存:16531
晶体管
MOSFET P-Chan 60V MOSFET (UMOS)
1:¥6.3732
10:¥5.4918
100:¥4.2149
500:¥3.729
1,000:¥2.938
2,500:¥2.938
参考库存:25443
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Big Chip SELine
1:¥8.9157
10:¥7.6388
100:¥5.876
500:¥5.1867
1,000:¥4.0906
参考库存:18510
晶体管
MOSFET 70V P-Channel 5.7A MOSFET
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
2,500:¥2.825
参考库存:24732
晶体管
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms
1:¥20.2835
10:¥17.2099
100:¥13.8312
500:¥12.0684
800:¥9.9892
参考库存:19439
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