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晶体管
NVMFD5C446NLWFT1G参考图片

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NVMFD5C446NLWFT1G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET T6 40V LL S08FL DS
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库存:13,789(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.7466
16.7466
10
¥14.2154
142.154
100
¥11.3678
1136.78
500
¥9.9892
4994.6
1,500
¥7.6727
11509.05
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
145 A
Rds On-漏源导通电阻
2.2 mOhms, 2.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
54 nC, 54 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
NVMFD5C446NL
晶体管类型
2 N-Channel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
138 S, 138 S
下降时间
15.2 ns, 15.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16.8 ns, 16.8 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
34.9 ns, 34.9 ns
典型接通延迟时间
14.8 ns, 14.8 ns
商品其它信息
优势价格,NVMFD5C446NLWFT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET TO-220AB N-Ch Power
1:¥7.0738
10:¥5.989
100:¥4.5991
500:¥4.068
1,000:¥3.2092
参考库存:46024
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 8A 150V 50W PNP
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.5371
500:¥6.667
1,000:¥5.2545
参考库存:11536
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-2000MHz 25W 50V
1:¥594.2783
5:¥576.9102
10:¥564.548
25:¥540.8745
参考库存:4178
晶体管
MOSFET NFET 100V 170MA 6OH
1:¥2.9945
10:¥2.0679
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.62263
参考库存:62415
晶体管
MOSFET P-Chan 250V 2.7 Amp
1:¥11.9893
10:¥9.9892
100:¥7.684
500:¥6.7348
1,000:¥5.5709
参考库存:44087
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