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晶体管
DN0150BLP4-7B参考图片

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DN0150BLP4-7B

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS Mid-Perf Transist X1-DFN1006-3,10K
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10
¥3.0171
30.171
100
¥1.8419
184.19
1,000
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1423.8
2,500
¥1.2091
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN1006H4-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
250 mV
最大直流电集电极电流
200 mA
增益带宽产品fT
60 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
DN0150
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
100 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
Pd-功率耗散
450 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
10000
子类别
Transistors
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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