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晶体管
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STP26NM60N

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-channel 600 V Mdmesh II Power
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数量单价合计
1
¥33.9678
33.9678
10
¥28.8941
288.941
100
¥25.0521
2505.21
250
¥23.7413
5935.325
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
165 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
140 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
系列
STP26NM60N
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
50 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
85 ns
典型接通延迟时间
13 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格，STP26NM60N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN2N3501L/TR
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1,000:¥1.01474
30,000:¥0.66105
48,000:查看
参考库存:34549
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