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晶体管
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FDD5N50TM-WS

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数量单价合计
1
¥7.1416
7.1416
10
¥6.102
61.02
100
¥4.6895
468.95
500
¥4.1471
2073.55
2,500
¥2.8928
7232
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
1.4 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
40 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FDD5N50
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
28 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
FDD5N50TM_WS
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格，FDD5N50TM-WS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IKB30N65EH5ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 Infineon s 650 V, 30 A hard-switching TRENCHSTOP 5 IGBT in a TO263 D2Pak package, redefines Best-in-class IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. The new family is a major breakthrough in IGBT i
1:¥29.5043
10:¥25.0521
100:¥21.7412
250:¥20.6677
1,000:¥15.594
2,000:查看
参考库存:9845
DMN6068SE-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 60V N-CHAN
1:¥4.3053
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
4,000:¥1.4577
参考库存:29177
VS-CPV364M4FPBF
Vishay Semiconductors
晶体管
IGBT 晶体管 600 Volt 15 Amp
1:¥374.0526
5:¥364.1425
10:¥350.0062
25:¥323.6546
参考库存:5649
PSMN017-30EL,127
Nexperia
晶体管
MOSFET N-chan 30 V 17 mohm MOSFET in I2PAK
1:¥6.9947
10:¥5.9438
100:¥4.5652
500:¥4.0341
参考库存:29851
ZVN3320FTA
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET N-Chnl 200V
1:¥3.2996
10:¥2.7685
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:193228
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