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晶体管
2SK3842(TE24L,Q)参考图片

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2SK3842(TE24L,Q)

  • Toshiba
  • 最新
  • MOSFET MOSFET N-Ch 60V 75A Rdson=0.0058Ohm
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TFP-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
75 A
Rds On-漏源导通电阻
5.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
高度
3 mm
长度
9.2 mm
系列
2SK3842
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.2 mm
商标
Toshiba
下降时间
35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
商品其它信息
优势价格，2SK3842(TE24L,Q)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DRA9115T0L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
3,000:¥0.52997
9,000:¥0.46895
24,000:¥0.43844
参考库存:40852
DRA2124X0L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
3,000:¥0.49946
9,000:¥0.44522
24,000:¥0.42262
45,000:¥0.3616
参考库存:40857
DRA2123J0L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
3,000:¥0.47686
9,000:¥0.42262
24,000:¥0.40002
45,000:¥0.34578
参考库存:40862
FF225R17ME4_B11
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 225A 1700V
1:¥1,148.4529
5:¥1,125.932
10:¥1,073.4548
25:¥1,050.8661
参考库存:9200
R5011ANJTL
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET TRANS MOSFET NCH 500V 11A 3PIN
1:¥23.1311
10:¥19.6733
100:¥17.063
250:¥16.2155
1,000:¥12.2153
2,000:查看
参考库存:40869
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