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晶体管
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TPS1100PWR

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库存:13,942(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.6842
11.6842
10
¥9.9892
99.892
100
¥7.6388
763.88
500
¥6.7461
3373.05
2,000
¥4.7234
9446.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSSOP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
15 V
Id-连续漏极电流
1.27 A
Rds On-漏源导通电阻
180 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
504 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.2 mm
长度
4.4 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
TPS1100
晶体管类型
1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
3 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
2.5 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
4.5 ns
单位重量
39 mg
商品其它信息
优势价格,TPS1100PWR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 120A TO220-3 OptiMOS-T
500:¥16.2155
1,000:¥13.673
2,500:¥12.9837
5,000:¥12.5204
参考库存:51046
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,097.7385
参考库存:51051
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥801.3621
参考库存:51056
晶体管
MOSFET N-CH CLMP 12A FULL PROTCT SAFeFET
1,000:¥17.8314
2,000:¥16.9048
5,000:¥16.2946
参考库存:51061
晶体管
MOSFET
5,000:¥4.52
10,000:¥4.3505
参考库存:51066
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