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晶体管
TP0610K-T1-GE3参考图片

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TP0610K-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET -60V Vds 20V Vgs SOT-23
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数量单价合计
1
¥3.6838
3.6838
10
¥2.7798
27.798
100
¥2.0679
206.79
500
¥1.695
847.5
1,000
¥1.3108
1310.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
185 mA
Rds On-漏源导通电阻
6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
1.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
350 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
TP0
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
80 mS
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
20 ns
零件号别名
TP0610K-GE3
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，TP0610K-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NTK3134NT5G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET 20V/6V N CH T1
1:¥3.842
10:¥2.4747
100:¥1.05994
1,000:¥0.81473
2,500:¥0.62263
8,000:¥0.5537
参考库存:29558
DME201010R
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SM SIG BIPLR TRANS GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥3.5369
10:¥2.3391
100:¥1.4577
500:¥1.3108
3,000:¥0.82264
9,000:查看
参考库存:11875
PMV16XNR
Nexperia
晶体管
MOSFET 20V N-channel Trench MOSFET
1:¥3.6838
10:¥2.599
100:¥1.1865
1,000:¥0.91417
3,000:¥0.78422
参考库存:35672
J108
InterFET
晶体管
JFET JFET N-Channel -25V 50mA 360mW 3.27mW
1:¥33.4254
10:¥26.894
100:¥22.0576
500:¥19.8202
参考库存:2334
2N2270
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Hi-Spd SW
1:¥16.2155
10:¥14.3736
100:¥11.526
500:¥10.0683
参考库存:6016
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