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晶体管
IPD60R950C6ATMA1参考图片

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IPD60R950C6ATMA1

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库存:103,842(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.8422
7.8422
10
¥6.7122
67.122
100
¥5.1641
516.41
500
¥4.5652
2282.6
1,000
¥3.6047
3604.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
4.4 A
Rds On-漏源导通电阻
950 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
13 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
26 W
配置
Single
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
CoolMOS C6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
IPD60R950C6 SP001117730
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPD60R950C6ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Low Noise,Matched Dual NPN Transistor
1:¥51.7088
10:¥46.5673
25:¥43.7988
50:¥41.1885
1,500:¥28.2048
参考库存:24301
晶体管
MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
1:¥47.2566
10:¥42.7253
50:¥40.7252
100:¥35.3464
参考库存:5583
晶体管
IGBT 模块 EASY
1:¥336.7852
5:¥329.3385
10:¥314.2756
25:¥301.0546
参考库存:2320
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
1:¥7.91
10:¥6.7122
100:¥5.1528
500:¥4.5539
2,500:¥3.1866
10,000:查看
参考库存:43882
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
1:¥12.9046
10:¥10.9836
100:¥8.7575
500:¥7.684
2,500:¥5.9438
5,000:查看
参考库存:14559
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