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晶体管
FJAF4210RTU参考图片

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FJAF4210RTU

  • ON Semiconductor / Fairchild
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Si Transistor Epitaxial
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数量单价合计
1
¥24.973
24.973
10
¥21.2101
212.101
100
¥18.4416
1844.16
250
¥17.4472
4361.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PF-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 140 V
集电极—基极电压 VCBO
- 200 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
- 0.5 V
最大直流电集电极电流
10 A
增益带宽产品fT
30 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FJAF4210
直流电流增益 hFE 最大值
180
高度
16.7 mm (Max)
长度
15.7 mm (Max)
宽度
5.7 mm (Max)
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
- 10 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
50
Pd-功率耗散
80 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
360
子类别
Transistors
零件号别名
FJAF4210RTU_NL
单位重量
7 g
商品其它信息
优势价格,FJAF4210RTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥507.144
10:¥422.62
25:¥380.358
50:¥338.096
参考库存:27984
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥1.4577
10:¥1.2995
100:¥0.46104
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23843
参考库存:106036
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS5
1:¥153.1376
5:¥147.1486
10:¥141.6116
25:¥130.1647
参考库存:27991
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥507.144
10:¥422.62
25:¥380.358
50:¥338.096
参考库存:27996
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED PWR TAPE13
1:¥2.9154
10:¥2.2713
100:¥1.2317
1,000:¥0.92999
4,000:¥0.79891
参考库存:28001
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