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晶体管
FF450R12KE4参考图片

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FF450R12KE4

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数量单价合计
1
¥1,217.3716
1217.3716
5
¥1,188.1046
5940.523
10
¥1,158.589
11585.89
25
¥1,142.3848
28559.62
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.15 V
在25 C的连续集电极电流
520 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
2400 W
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FF450R12KE4HOSA1 SP000370610
单位重量
337 g
商品其它信息
优势价格,FF450R12KE4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Nch 600V 15A Si MOSFET
1:¥18.2834
10:¥15.5262
100:¥12.4526
500:¥10.8367
1,000:¥8.9948
参考库存:9349
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3
1:¥6.0681
10:¥5.0624
100:¥3.2657
1,000:¥2.6103
参考库存:161261
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 50A DPAK-2 OptiMOS 3
1:¥7.2207
10:¥6.1811
100:¥4.7573
500:¥4.2036
2,500:¥2.938
10,000:查看
参考库存:32513
晶体管
MOSFET 60V StrongIRFET Power Mosfet
1:¥9.2999
10:¥7.9891
100:¥6.1359
500:¥5.424
1,000:¥4.2827
4,000:¥4.2827
参考库存:70995
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6E 45W NI270-2 FET
1:¥233.4354
5:¥223.1411
10:¥215.3102
25:¥187.8738
500:¥162.0533
参考库存:6197
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