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晶体管
SSM6N58NU,LF参考图片

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SSM6N58NU,LF

  • Toshiba
  • 最新
  • MOSFET N-Ch Sm Sig FET 4A 30V 2-in-1
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1
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3.9211
10
¥2.5877
25.877
100
¥1.4464
144.64
1,000
¥1.05316
1053.16
3,000
¥0.90626
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
UDFN-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
112 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Pd-功率耗散
1 W
配置
Dual
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.75 mm
长度
2 mm
系列
SSM6N58
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
2 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9 ns
典型接通延迟时间
26 ns
单位重量
8.500 mg
商品其它信息
优势价格，SSM6N58NU,LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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参考库存:17402
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