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SIA459EDJ-T1-GE3参考图片

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SIA459EDJ-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
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数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥2.9945
29.945
100
¥2.2261
222.61
500
¥1.8306
915.3
3,000
¥1.2882
3864.6
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SC70-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
9 A
Rds On-漏源导通电阻
28 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
30 nC
最小工作温度
- 50 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
15.6 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIA
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
15 S
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
20 ns
商品其它信息
优势价格，SIA459EDJ-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ZTX694B
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Super E-Line
1:¥6.7574
10:¥5.8082
100:¥4.4635
500:¥3.955
1,000:¥3.1075
参考库存:24855
IRF6646TRPBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 9.5mOhms 36nC
1:¥17.063
10:¥14.5205
100:¥11.6051
500:¥10.1474
4,800:¥7.571
9,600:查看
参考库存:39037
SIHP30N60E-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
1:¥46.2622
10:¥38.2618
100:¥31.5044
250:¥30.51
参考库存:8159
PD84001
STMicroelectronics
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
1:¥20.5886
10:¥17.515
100:¥13.9894
500:¥12.2944
2,500:¥9.4468
5,000:查看
参考库存:12846
ZTX757
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Super E-Line
1:¥5.8421
10:¥4.9155
100:¥3.164
1,000:¥2.5312
参考库存:27538
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