您好!欢迎来到隆乾胜芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
SIHF8N50D-E3参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

SIHF8N50D-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • *联系人:
  • *电话:
  • QQ:
  • *邮箱:
 公司名:  微信:
库存:8,828(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.9046
12.9046
10
¥10.5994
105.994
100
¥8.1473
814.73
500
¥6.9834
3491.7
1,000
¥5.5144
5514.4
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
8.7 A
Rds On-漏源导通电阻
850 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
15 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
33 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
D
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17 ns
典型接通延迟时间
13 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,SIHF8N50D-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LEADED POWER TRANSIS GEN PUR T0-220
1:¥24.8148
10:¥22.2045
100:¥20.2044
250:¥18.2156
参考库存:5841
晶体管
MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp
1:¥10.7576
10:¥8.9157
100:¥6.7913
500:¥5.8421
1,000:¥4.6104
参考库存:7093
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS7
1:¥272.556
5:¥260.3294
10:¥252.1934
25:¥231.7517
参考库存:4330
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 30MA
1:¥3.1527
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
8,000:¥0.44522
24,000:查看
参考库存:48262
晶体管
IGBT 晶体管 650V/40A FAST IGBT FSII T
1:¥40.341
10:¥34.2729
100:¥29.7416
250:¥28.2048
参考库存:5129
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市隆乾胜科技有限公司

电话:0755-82331103

手机:13048971103

传真:0755-82331102

Email:1531762882@qq.com

Q Q:

地址:深圳市福田区南园路66号佳兆业中心B座2F


微信联系我们

Copyright © 2010-2021 深圳市隆乾胜科技有限公司 粤ICP备2021106032号