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IKFW50N60DH3EXKSA1

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数量单价合计
1
¥48.8725
48.8725
10
¥44.183
441.83
25
¥42.1038
1052.595
100
¥36.5781
3657.81
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
PG-TO247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.2 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
130 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
零件号别名
IKFW50N60DH3E SP001502656
商品其它信息
优势价格，IKFW50N60DH3EXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTXV2N3507A
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2N4871
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Microsemi
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥112.1864
250:¥102.4232
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1,000:¥85.5184
参考库存:36037
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