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晶体管
SQ3987EV-T1_GE3参考图片

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SQ3987EV-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET Dual P-Ch -30V AEC-Q101 Qualified
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数量单价合计
1
¥5.2206
5.2206
10
¥3.9889
39.889
100
¥2.9606
296.06
500
¥2.4295
1214.75
3,000
¥1.7176
5152.8
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
3 A
Rds On-漏源导通电阻
85 mOhms, 85 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
12.2 nC, 12.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
1.67 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ3987EV
晶体管类型
2 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
4.2 S, 4.2 S
下降时间
2.2 ns, 2.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.4 ns, 2.4 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18.4 ns, 18.4 ns
典型接通延迟时间
6.6 ns, 6.6 ns
单位重量
44 mg
商品其它信息
优势价格，SQ3987EV-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMP2002UPS-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 20V P-Ch Enh FET 12Vgss 104W
1:¥14.6787
10:¥12.4526
100:¥9.9892
500:¥8.6784
1,000:¥7.2433
2,500:¥7.2433
参考库存:26106
IKY75N120CH3XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管
1:¥136.165
10:¥125.1701
25:¥120.0286
100:¥105.7341
参考库存:3543
NGTB40N120FL3WG
ON Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT 1200V 40A FS3 SOLAR/
1:¥43.7197
10:¥37.1092
100:¥32.1937
250:¥30.51
500:¥27.4364
参考库存:7855
BSC0702LSATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥11.3678
10:¥9.6841
100:¥7.458
500:¥6.5879
5,000:¥4.6104
10,000:查看
参考库存:26682
FGH75T65SQDTL4
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
IGBT 晶体管 650V FS4 Trench IGBT
1:¥50.3302
10:¥42.8044
100:¥37.1092
250:¥35.1882
参考库存:3704
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