您好!欢迎来到隆乾胜芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
STGF4M65DF2参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

STGF4M65DF2

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • IGBT 晶体管 PTD HIGH VOLTAGE
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • *联系人:
  • *电话:
  • QQ:
  • *邮箱:
 公司名:  微信:
库存:5,908(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.6896
6.6896
10
¥5.7065
57.065
100
¥4.3844
438.44
500
¥3.8759
1937.95
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220FP-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
8 A
Pd-功率耗散
23 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGF4M65DF2
集电极最大连续电流 Ic
8 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,STGF4M65DF2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS8
1:¥74.1506
10:¥66.6926
25:¥60.7827
50:¥56.6356
参考库存:28500
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
1:¥96.5133
10:¥88.7502
25:¥85.0664
100:¥74.919
参考库存:10097
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥4.3844
10:¥3.6951
100:¥2.3843
1,000:¥1.9097
2,000:¥1.9097
参考库存:18099
晶体管
MOSFET
1:¥78.6028
5:¥74.6139
10:¥71.8454
25:¥68.9978
参考库存:8551
晶体管
MOSFET T6D3F 40V NFET
1:¥19.2891
10:¥16.3624
100:¥13.0628
500:¥11.4469
5,000:¥8.5315
10,000:查看
参考库存:28511
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市隆乾胜科技有限公司

电话:0755-82331103

手机:13048971103

传真:0755-82331102

Email:1531762882@qq.com

Q Q:

地址:深圳市福田区南园路66号佳兆业中心B座2F


微信联系我们

Copyright © 2010-2021 深圳市隆乾胜科技有限公司 粤ICP备2021106032号