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晶体管
ZXTP19100CFFTA参考图片

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ZXTP19100CFFTA

  • Diodes Incorporated
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 100V Transistor
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数量单价合计
1
¥5.2997
5.2997
10
¥4.407
44.07
100
¥2.8476
284.76
1,000
¥2.2713
2271.3
3,000
¥2.2713
6813.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23F-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
集电极—基极电压 VCBO
110 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
最大直流电集电极电流
2 A
增益带宽产品fT
142 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXTP19
直流电流增益 hFE 最大值
200
高度
1 mm
长度
3 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.7 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
200 at 100 mA, 2 V, 70 at 1 A, 2 V, 20 at 2 A, 2 V
Pd-功率耗散
2000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 600V AUTO ULTRAFAST COPACK TRENCH IGBT
1:¥62.1613
10:¥56.1723
25:¥53.562
100:¥46.4882
参考库存:1750
晶体管
MOSFET 12V PCH NexFET
1:¥3.5369
10:¥2.9154
100:¥1.7967
250:¥1.7967
1,000:¥1.3899
参考库存:2372
晶体管
MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
1:¥10.2943
10:¥8.7575
100:¥6.78
500:¥5.989
1,000:¥4.7234
参考库存:4909
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
1:¥93.3606
10:¥83.9816
25:¥76.5349
50:¥71.303
参考库存:1281
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Gen Trans NPN NPN 50V, 0.15A, SMV
1:¥4.2262
10:¥2.3278
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.58421
参考库存:8948
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