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晶体管
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ZXMHC3F381N8TC

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数量单价合计
1
¥7.5258
7.5258
10
¥6.4523
64.523
100
¥4.9607
496.07
500
¥4.3844
2192.2
1,000
¥3.4578
3457.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
4 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
4.98 A, 4.13 A
Rds On-漏源导通电阻
33 mOhms, 55 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
9 nC, 12.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
0.87 W
配置
Quad
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
ZXMHC3
晶体管类型
2 N-Channel, 2 P-Channel
类型
H-Bridge
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
11.8 S, 14 S
下降时间
6.3 ns, 21 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.3 ns, 3 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11.5 ns, 30 ns
典型接通延迟时间
2.5 ns, 1.9 ns
单位重量
260 mg
商品其它信息
优势价格，ZXMHC3F381N8TC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BCX5416H6327XTSA1
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS
1:¥3.0736
10:¥2.2939
100:¥1.243
1,000:¥0.92999
2,000:¥0.80682
10,000:¥0.75258
参考库存:31888
2SB1215T-TL-H
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 3A 100V
1:¥6.4523
10:¥5.3223
100:¥3.4239
700:¥2.7459
2,100:¥2.3165
参考库存:11415
2N2484
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥43.2564
10:¥34.804
100:¥31.7304
250:¥28.589
参考库存:6202
BCR108E6433HTMA1
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Silicon Digital TRANSISTOR
1:¥1.4577
10:¥1.356
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
10,000:¥0.2147
20,000:查看
参考库存:502544
BCR 555 E6327
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Silicon Digital TRANSISTOR
1:¥2.6894
10:¥1.8419
100:¥0.7684
1,000:¥0.52206
3,000:¥0.4068
参考库存:73821
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