您好!欢迎来到隆乾胜芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
FCD380N60E参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

FCD380N60E

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • *联系人:
  • *电话:
  • QQ:
  • *邮箱:
 公司名:  微信:
库存:13,591(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.9103
13.9103
10
¥11.8311
118.311
100
¥9.4468
944.68
500
¥8.2264
4113.2
1,000
¥6.8591
6859.1
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
10.2 A
Rds On-漏源导通电阻
380 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
34 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
106 W
配置
Single
商标名
SuperFET II
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
产品
MOSFET
系列
FCD380N60E
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
10 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
64 ns
典型接通延迟时间
17 ns
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格,FCD380N60E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40 Volt N-Channel
1:¥5.3788
10:¥4.6556
100:¥2.5086
1,000:¥1.8758
5,000:¥1.7628
10,000:¥1.695
参考库存:152268
晶体管
MOSFET Quad P-Channel Array
1:¥36.6572
10:¥32.7361
25:¥29.4252
50:¥28.6568
参考库存:3530
晶体管
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥15.368
10:¥13.0628
100:¥10.4525
500:¥9.1417
5,000:¥6.8026
10,000:查看
参考库存:61797
晶体管
达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays
1,175:¥2.6781
2,000:¥2.4182
5,000:¥2.2487
10,000:¥2.1696
参考库存:48659
晶体管
达林顿晶体管 Power BJT
1:¥275.0081
5:¥262.6346
10:¥254.4195
25:¥233.8196
参考库存:3499
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市隆乾胜科技有限公司

电话:0755-82331103

手机:13048971103

传真:0755-82331102

Email:1531762882@qq.com

Q Q:

地址:深圳市福田区南园路66号佳兆业中心B座2F


微信联系我们

Copyright © 2010-2021 深圳市隆乾胜科技有限公司 粤ICP备2021106032号