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晶体管
SISS02DN-T1-GE3参考图片

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SISS02DN-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8S
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数量单价合计
1
¥11.752
11.752
10
¥9.6841
96.841
100
¥7.458
745.8
500
¥6.4071
3203.55
1,000
¥5.0624
5062.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
1.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V, - 12 V
Qg-栅极电荷
83 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
65.7 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIS
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
94 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
23 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
14 ns
商品其它信息
优势价格,SISS02DN-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP SOT-23 47kO Input Resist
1:¥1.3108
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.28476
3,000:¥0.2147
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晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 100K100K
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
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晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-11
1:¥1.07576
10:¥0.99101
100:¥0.35369
1,000:¥0.23843
10,000:¥0.15368
20,000:查看
参考库存:52116
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DIGIT NPN 50V 50MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
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晶体管
IGBT 模块 IGBT 1200V 75A
1:¥829.7138
5:¥814.4249
10:¥777.779
25:¥751.8794
参考库存:3300
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