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晶体管
STH150N10F7-2参考图片

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STH150N10F7-2

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-channel 100 V, 0.0038 Ohm typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
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数量单价合计
1
¥25.5832
25.5832
10
¥21.7412
217.412
100
¥18.8258
1882.58
250
¥17.8992
4474.8
1,000
¥13.5261
13526.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H2PAK-2
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
110 A
Rds On-漏源导通电阻
3.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
117 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STH150N10F7-2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
33 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
57 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
72 ns
典型接通延迟时间
33 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STH150N10F7-2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
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1:¥13.1419
10:¥11.1418
100:¥8.9157
500:¥7.8422
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1:¥4.0002
10:¥2.2826
100:¥1.2543
500:¥1.01474
3,000:¥0.56048
9,000:查看
参考库存:16737
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Transistor
1:¥2.6894
10:¥2.0566
100:¥1.11418
1,000:¥0.83733
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1:¥2.9154
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
参考库存:75941
晶体管
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1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.5597
500:¥6.6783
参考库存:11083
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