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晶体管
IPP057N08N3GXKSA1参考图片

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IPP057N08N3GXKSA1

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数量单价合计
1
¥14.0572
14.0572
10
¥11.9893
119.893
100
¥9.605
960.5
500
¥8.3733
4186.65
1,000
¥6.9721
6972.1
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
4.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
69 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
52 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
66 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
G IPP057N08N3 IPP57N8N3GXK SP000680810
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPP057N08N3GXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SC4774T106S
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 6V 50MA
1:¥2.9945
10:¥2.0905
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:31338
DRC5115G0L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
1:¥3.616
10:¥2.034
100:¥1.08367
500:¥0.90626
3,000:¥0.50737
9,000:查看
参考库存:16340
MJE181G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 3A 60V 12.5W NPN
1:¥4.0002
10:¥3.277
100:¥2.0001
1,000:¥1.5481
2,500:¥1.3221
参考库存:6537
SMMBFJ309LT1G
ON Semiconductor
晶体管
JFET SS SOT23 JFET NCH 25V TR
1:¥4.4522
10:¥3.6612
100:¥2.2374
1,000:¥1.7289
3,000:¥1.4803
参考库存:6234
MPQ2222
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small Signal Transistor
1:¥37.3465
10:¥33.3463
100:¥30.3518
250:¥27.4364
参考库存:3381
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