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晶体管
SQM60N20-35_GE3参考图片

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SQM60N20-35_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-Channel 200V AEC-Q101 Qualified
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数量单价合计
1
¥26.2047
26.2047
10
¥23.2102
232.102
100
¥19.0518
1905.18
250
¥17.5941
4398.525
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
28 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
135 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
67 S
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
40 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
2.200 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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500:¥4.0906
1,000:¥3.2318
10,000:¥3.2318
参考库存:53595
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