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晶体管
IPB120N04S4-02参考图片

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IPB120N04S4-02

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • MOSFET N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2
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数量单价合计
1
¥16.5997
16.5997
10
¥14.0572
140.572
100
¥11.2209
1122.09
500
¥9.831
4915.5
1,000
¥8.1473
8147.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
1.58 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
134 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
158 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS-T2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
27 ns
零件号别名
IPB120N04S402ATMA1 IPB12N4S42XT SP000764726
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPB120N04S4-02的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Gain & Crnt
1:¥6.3054
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
参考库存:58774
晶体管
MOSFET -30V 0.155ohm@-10V -8.4A P-CH
1:¥6.7574
10:¥5.5822
100:¥4.2827
500:¥3.6838
1,000:¥2.9154
2,000:¥2.9154
参考库存:83596
晶体管
MOSFET -20V Vds 12V Vgs 1206-8 ChipFET
1:¥4.5313
10:¥3.4691
100:¥2.5764
500:¥2.1244
1,000:¥1.6385
3,000:¥1.6385
参考库存:97818
晶体管
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SH
1:¥10.9158
10:¥9.2999
100:¥7.1529
500:¥6.328
4,800:¥4.4296
9,600:查看
参考库存:17545
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 56A 16mOhm 70nC
1:¥11.3678
10:¥9.6841
100:¥7.4806
500:¥6.6105
1,000:¥5.2206
参考库存:29047
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