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晶体管
NTS4409NT1G参考图片

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NTS4409NT1G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET NFET 25V/8V 75mA 350
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数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.3956
23.956
100
¥1.10627
110.627
1,000
¥0.84524
845.24
3,000
¥0.72207
2166.21
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-70-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
750 mA
Rds On-漏源导通电阻
350 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
650 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
1.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
330 mW (1/3 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.85 mm
长度
2.1 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
NTS4409N
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.24 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
0.5 S
下降时间
41 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.2 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
5 ns
单位重量
6.200 mg
商品其它信息
优势价格,NTS4409NT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 30V 120A 6mOhm 93.3nC LogLvAB
1:¥13.1419
10:¥11.1418
100:¥8.9157
500:¥7.7631
参考库存:8927
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥1.695
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:109394
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual 17.5V NPN HighG
1:¥11.752
10:¥10.0683
100:¥7.684
500:¥6.8365
1,000:¥5.3901
参考库存:20121
晶体管
MOSFET N-channel 100 V, 0.008 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
1:¥18.5207
10:¥15.6731
100:¥12.5204
500:¥10.9836
1,000:¥9.0626
参考库存:6078
晶体管
MOSFET N-CH 200V 18A Q-FET
1:¥15.368
10:¥13.0628
100:¥10.4525
500:¥9.1417
2,500:¥7.0738
5,000:查看
参考库存:16900
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