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晶体管
SIHP14N60E-GE3参考图片

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SIHP14N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
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库存:6,181(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.2156
18.2156
10
¥15.142
151.42
100
¥11.752
1175.2
500
¥10.2943
5147.15
1,000
¥8.5315
8531.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
13 A
Rds On-漏源导通电阻
269 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
32 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
147 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
19 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,SIHP14N60E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W -60V -5A
1:¥4.6104
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
2,500:¥1.9662
参考库存:9769
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
2,500:¥0.71416
8,000:¥0.66896
参考库存:40701
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS7
1:¥741.4269
5:¥717.5274
10:¥695.0969
25:¥662.5868
参考库存:1278
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-11
1:¥0.92208
10:¥0.89157
100:¥0.31527
1,000:¥0.2147
10,000:¥0.13786
20,000:查看
参考库存:141330
晶体管
MOSFET P-Channel MOSFET, SOT-883 package
1:¥4.3053
10:¥3.1188
100:¥1.8419
1,000:¥0.80682
60,000:¥0.46895
100,000:查看
参考库存:38172
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