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晶体管
CSD88539ND参考图片

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CSD88539ND

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET 60-V Dual N-Channel Power MOSFET
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数量单价合计
1
¥6.6105
6.6105
10
¥5.6048
56.048
100
¥4.3166
431.66
500
¥3.8081
1904.05
2,500
¥2.6781
6695.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
28 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
7.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
CSD88539ND
晶体管类型
2 N-Channel Power MOSFET
宽度
3.9 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
5 ns
单位重量
540 mg
商品其它信息
优势价格，CSD88539ND的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UMH6NTR
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL NPN 50V 30MA
1:¥2.8476
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
3,000:¥0.59212
参考库存:16094
DCP56-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W 80V
2,500:¥1.00683
参考库存:51096
DTA143ZUAT106
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:13758
BCX 70K E6327
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANS GP BJT NPN 45V 0.1A
1:¥1.5368
10:¥1.4012
100:¥0.49946
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:182175
BSM25GP120
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 1200V 25A PIM
1:¥873.9759
5:¥857.9186
10:¥819.2726
25:¥791.9944
参考库存:1402
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