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晶体管
SIR422DP-T1-GE3参考图片

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SIR422DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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数量单价合计
1
¥9.1417
9.1417
10
¥7.5258
75.258
100
¥5.7743
577.43
500
¥4.972
2486
1,000
¥4.7008
4700.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
20.5 A
Rds On-漏源导通电阻
6.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
48 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
34.7 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIR
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
70 S
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
84 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
28 ns
典型接通延迟时间
19 ns
零件号别名
SIR422DP-GE3
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SIR422DP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥2.2261
10:¥1.5594
100:¥0.65314
1,000:¥0.44522
3,000:¥0.34578
参考库存:171028
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
1:¥21.4361
10:¥18.2156
100:¥14.5996
500:¥12.7577
1,000:¥10.5316
参考库存:13035
晶体管
MOSFET TRANSITIONAL MOSFETS
1:¥4.8364
10:¥4.0341
100:¥2.6103
1,000:¥2.0792
5,000:¥2.0792
参考库存:28132
晶体管
IGBT 晶体管 Trench IGBT
1:¥27.0522
10:¥22.9729
100:¥19.8993
250:¥18.9049
500:¥16.9048
800:¥16.9048
参考库存:29604
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power
1:¥3.2996
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
9,000:¥0.83733
参考库存:243066
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