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晶体管
VN0106N3-G-P003参考图片

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VN0106N3-G-P003

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数量单价合计
1
¥5.4579
5.4579
10
¥5.3788
53.788
25
¥4.5087
112.7175
100
¥4.1132
411.32
2,000
¥2.8024
5604.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
350 mA
Rds On-漏源导通电阻
5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
产品
MOSFET Small Signal
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.19 mm
商标
Microchip Technology
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6 ns
典型接通延迟时间
3 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,VN0106N3-G-P003的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII
1:¥21.5943
10:¥18.3625
100:¥14.6787
500:¥12.8368
1,000:¥10.5994
参考库存:6085
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 40V/5A
1:¥6.6896
10:¥5.5483
100:¥3.5821
1,000:¥2.8702
参考库存:6007
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 10A 40V 25W 410pF 520 mOhms
1:¥19.9784
10:¥16.0573
参考库存:27808
晶体管
MOSFET 30V, N-channel NexFET Pwr MOSFET
1:¥13.6052
10:¥11.6051
100:¥9.2208
250:¥9.2208
500:¥8.0682
参考库存:9409
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 0.5 3W 10V VDSS
1:¥11.4469
10:¥9.2208
100:¥7.0738
500:¥6.2263
1,000:¥4.9155
参考库存:4751
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